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第七届宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA 2019)
2019-12-6 发表于: 2019-12-6

第7届IEEE / PSMA宽带隙功率器件和应用年度研讨会(WiPDA 2019)于2019年10月29日至31日在北卡罗来纳州罗利举行。该研讨会在北卡罗来纳州立大学(NCSU)校园内于Stateview举行。旅馆。 本次活动包括一天的教程和两天的技术讨论。 它还主办了国际宽带隙半导体技术路线图(ITRW)以及JEDEC的JC-70委员会的会议,该委员会的重点是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体器件的标准化。 今年,来自世界各地的200多人聚集在罗利,分享他们的经验并了解该领域的最新发展。



WiPDA 2019的总主席Victor Veliadis向200多名与会者致欢迎辞

JC-70委员会和ITRW工作组在29日举行了会议。 JC-70委员会主席Stephanie Watts Butler博士说:10月29日,星期二,研讨会的五个教程着重介绍了宽带隙(WBG)设备在固态断路器,数据中心,电动汽车,和中压转换器。 另一个演讲讨论了高压GaN器件的可靠性。 之后,与会者可以参观NCSU的FREEDM中心电力电子实验室,随后举行开幕酒会并开始展览。

JEDEC的JC-70宽带隙(WBG)功率半导体标准委员会在WiPDA 2019上庆祝了其成立两周年。该委员会已发展成为全球60家公司的成员,这些公司包括功率GaN和SiC半导体供应商,WBG功率半导体的用户以及[测试与测量(T&M)设备制造商。

JC-70委员会在WiPDA上开会,讨论了可靠性,测试和数据表参数标准的当前状态。 除了在制定这些主题领域的文件方面取得进展之外,JEDEC委员会还一直在与世界各地的标准机构(例如IEC和JEITA)合作。 这种参与展示了全球范围内SiC和GaN的重要性和接受度的进一步增长,以及用户社区希望在全球范围内看到标准一致性的渴望。

技术对话从周三上午开始,英飞凌科技公司的Peter Friedrichs和IHS Markit公司的Kevin Anderson发表了两个主题演讲。 弗里德里希斯(Friedrichs)强调需要优化磁性材料以提高SiC应用的性能,而安德森(Anderson)谈到封装是牵引和风力应用中WBG器件的瓶颈。 还指出,600 V至1000 V应用是GaN,SiC和硅(Si)超结功率器件的新兴战场。

小组会议专门讨论了GaN器件的采用以及SiC应用的第二次应用。 在讨论振动和辐射硬度数据的必要性时,可靠性再次成为关注的焦点。 但是,提到了GaN和SiC的应用和测试时间正在产生更加可靠的即时失效(FIT)数据。



Tim McDonald与其他小组成员Alain Charles,Sandeep Bahl,Peter Di Maso和Robert Kaplar一起开启了WiPDA 2019的小组会议

周三下午的会议包括德州仪器(TI)的Laszlo Balogh,ABB的Sandeep Bala和欧洲电力电子中心的Thomas Harder的三场主题演讲。 随后是四轮技术会议的第一轮,以及海报会议。 Cree联合创始人John Edmond和他的乐队为会议提供了娱乐活动,当晚在会议宴会上闭幕。在WiPDA 2019上强调的一点是需要考虑系统级成本。 预计在未来几年中,WBG器件(尤其是SiC)在成本上不会与Si组件持平,但公司发现电力电子系统其他领域的相应成本已大大降低。 例如,约翰·迪尔(John Deere)通过在大功率电机驱动器中使用SiC组件,实现了直流母线电容器尺寸的有意义的减小。



与会者和演讲者齐聚WiPDA 2019的海报发布会

今年的活动总共提交了99个摘要。 其中的48个被接受为12个技术口述之一的口头报告。 其中包括四个专门用于SiC应用的轨迹,两个用于GaN应用,三个用于SiC器件,两个用于GaN器件以及一个用于热和新兴技术的轨迹。 在海报发布会上总共发表了32篇论文。周四上午,沃尔夫speed的John Palmour,NCSU的Iqbal Husain以及弗吉尼亚理工学院和州立大学的Yuyu Zhang进行了另一轮主题演讲。 在前两个演讲中,重申了对封装,栅极驱动技术和磁性器件的改进需求,同时重点关注系统级成本。 第三次演讲讨论了垂直GaN技术的许多新发展,它们对电力电子的潜在影响以及未来的商业化前景。 之后,剩下的三场技术会议都举行了。



Cree的联合创始人John Edmond和他的乐队在WiPDA 2019的宴会上提供娱乐

研讨会希望承认:我们的白银赞助商PowerAmerica; JEDEC海报会议赞助商; 午餐赞助商Kyma Tehnologies; Focused Test Inc,茶歇赞助商; 以及媒体合作伙伴How2Power.com。 WiPDA 2019的技术赞助商是IEEE电力电子学会(PELS),IEEE电子设备学会(EDS)和电源制造商协会(PSMA)。 没有他们的承诺,9个参展商,组委会和技术计划委员会以及论文评审员和学生志愿者的承诺,研讨会都不可能举行。 WiPDA 2019非常感谢其许多财务赞助商,参展商及其敬业志愿者。 研讨会得到了我们两个白金赞助商英飞凌和Wolfspeed的持续支持。 他们的长期支持使WiPDA成为WBG社区的首要活动。 WiPDA也很高兴欢迎Applied Materials作为其2019年活动的第三位白金赞助商。

明年秋天,WiPDA 2020将前往加利福尼亚的洛杉矶,英飞凌科技公司将在此举办活动。 在此之前,祝您节日快乐,新年快乐!

由Mark Scott提供,
WiPDA 2019宣传椅

第七届宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA 2019)
2019-9-10 发表于: 2019-9-10

第7届年度IEEE / PSMA宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA)的筹备工作正在进行中。 今年的活动将在位于北卡罗莱纳州罗利市北卡罗莱纳州立大学校园内的万豪州景酒店举行。 从10月29日至31日,研讨会将提供为期一天的教程和为期两天的技术演讲,其中包括全体演讲者,小组讨论,由48个口头演讲组成的12条技术专题以及海报会议。

2019年10月29日将有5个80分钟的教程。两个在早餐后的早晨时段进行; 一份讨论了碳化硅(SiC)断路器的设计,另一份讨论了在设计电源模块时使用仿真及其对实验室开发时间的影响。 午餐后将举行三节课。 首先介绍了用于数据中心和电动汽车的基于SiC和氮化镓(GaN)的开关式坦克转换器。 第二篇教程介绍了使用电压加速来确定GaN器件可靠性的最佳实践。 最后的演讲将介绍10 kV至15 kV SiC功率器件在软开关和硬开关中压转换器中的应用。 可以在研讨会的网站( http://wipda.org/tutorials/ )上找到有关教程的更多信息。

欢迎酒会遵循了教程。 这将是一个休闲的夜晚,所有WiPDA参与者均可享用饮料和开胃小菜。

研讨会于2019年10月30日正式开始,上午有两次全体会议演讲。 接下来是两个小组会议:“ GaN功率器件市场的采用-市场渗透的现状以及障碍和促进因素是什么 ”,以及“ 大功率应用中SiC的挑战和机遇 ”。

午休后,又进行了三场全会演讲。 随后,当天的技术会议开始。 每个会话包含三个平行轨道,每个轨道包含四个演示文稿。 主题是SiC应用,GaN器件和SiC器件。 晚上由JEDEC支持的海报发布会以及Wolfspeed支持的研讨会宴会结束

活动的最后一天(2019年10月31日)从最后的三场全体会议演讲开始。 然后将有另外三个技术会议涉及九个方面。 其中三项针对SiC应用,两项针对GaN应用,两项针对SiC器件,一项针对GaN器件,以及一条有关新兴技术的专题文章。

赞助商和展览:

得益于我们的三个白金赞助商,今年的研讨会得以实现: 应用材料英飞凌技术Wolfspeed 。 IEEE电力电子学会( PELS ),电源制造商协会( PSMA ),IEEE电子设备学会( EDS )和PowerAmerica提供了其他支持。 研讨会也很高兴与我们的赞助商一起接待八家参展商。 展览在会议期间进行。
公司仍有机会参加研讨会。 展位可用于展示产品并与潜在客户和客户建立联系。 希望与该活动有关联的企业仍然可以使用赞助机会。 有关更多信息,请访问研讨会的网站: http : //wipda.org/exhibition-sponsorships/ 。 通过电子邮件将电子邮件发送至Exhibitionsatwipda2019@gmail.com

注册:

与会者可以在研讨会的网站( http://wipda.org/registration/ )上进行注册。 提前注册期于2019年9月20日结束。之后,将按正常费率收费。 与会者可以以每晚159美元的优惠价格留出一部分房间,外加税费和当地费用。 有关更多信息,请访问http://wipda.org/venue/

有关研讨会的其他问题,请联系wipda2019@gmail.com 。 我们期待与您在10月的WiPDA 2019的Raleigh见面。

由Mark Scott提供,
WiPDA 2019宣传椅

第六届宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA 2018)
2018-12-11 发表时间: 2018-12-11

来自世界各地的两百多人参加了2018年IEEE / PSMA宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA 2018)。 今年的活动于10月31日至11月2日在佐治亚州亚特兰大的佐治亚理工学院校园内举行。 重点包括:七个教程; JEDEC最新委员会JC-70的会议; 宽带隙半导体国际技术路线图研讨会(ITRW); 和为期两天的技术讨论。

WiPDA 2018的一个主要主题是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的可靠性。 一个教程和主题演讲专门针对该主题。 其他许多演讲者也将其包括在他们的演讲中。 两次小组会议都解决了这个问题。 一个覆盖SiC组件,另一个覆盖GaN器件。 此外,两次技术会议探讨了可靠性以及一些海报演示。

可靠性主题还包括JEDEC的参与。 JC-70委员会主席Stephanie Watts Butler博士说:

JEDEC的JC-70宽带隙(WBG)功率半导体标准委员会在WiPDA 2018上庆祝成立一周年。该委员会自2017年WiPDA成立大会以来规模扩大了一倍多,成员包括功率GaN和SiC的行业领导者在内的50多家公司半导体以及WBG功率半导体和T&M设备制造商的潜在用户。 来自美国,欧洲和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司正在共同努力,将WBG标准的可靠性,测试和数据表参数引入行业。 功率GaN器件测试指南已经完成了成为JEDEC出版物的第一个主要里程碑,并且已经开始了JEDEC发布的下一步。

ITRW研讨会的重点是在电力电子中实现SiC器件。 Victor Veliadis博士概述了大体积SiC应用。 戴朝波博士讨论了碳化硅功率器件在中国电网中的利用。 卡米亚尔·卡里米(Kamiar Karimi)博士谈到了用于飞机的碳化硅器件的好处。 Takei Oi博士也作了关于在日本铁路系统中使用SiC MOSFET的演讲。


北卡罗莱纳州立大学的Kijeong Han发表关于SiC器件制造过程中的短路故障机理的演讲

参加研讨会的人员在技术会议上听演讲

2018年的教程涵盖了GaN,SiC和超宽带隙器件的半导体技术。 它包括专注于这些组件的制造和应用的材料。 举行了八场主旨演讲和两次小组会议,同时重点关注了GaN和SiC的新兴发展。 在11个技术会议上共发表了44篇论文。 此外,晚上的招待会上还进行了11次海报展示。

WiPDA 2018的成功归功于其赞助商的财政支持以及许多志愿者的奉献精神。 我们要感谢我们的两个白金赞助商,英飞凌和Wolfspeed,为做出如此出色的计划做出了慷慨的贡献。 我们还要感谢我们的金牌赞助商Silvaco和Semiprobe; 我们的教程赞助商PowerAmerica; 我们的白银赞助商InnoCit; 我们的媒体合作伙伴How2Power.com; 以及与我们的赞助商一起展示的七个参展商。 此外,如果没有其技术赞助商,组委会和技术计划委员会以及论文审稿人和学生志愿者的承诺,该研讨会将无法进行。

明年秋天,WiPDA 2019将前往北卡罗来纳州罗利市,由北卡罗来纳州立大学和PowerAmerica主持研讨会。 在那之前,度过一个快乐的假期和安全的新年。

WIPDA 2017概述
2017-12-31 发表于: 2017-12-31

Ť 由IEEE和PSMA赞助的第五届IEEE宽带隙功率器件和应用研讨会(WiPDA, www.wipda.org )于2017年10月30日至11月1日在阿尔伯克基附近的塔玛亚凯悦酒店成功举行, NM。

WIPDA是一个快速发展的年度活动,它为设备科学家,电路设计师和应用工程师提供了一个论坛,以分享技术更新,研究结果,开发经验和应用知识。
与过去几年一样,WiPDA涵盖了与宽带隙电力电子设备相关的广泛主题,包括但不限于:

  1. 异质外延和块状材料的生长
  2. 栅极电介质和表面钝化
  3. 器件结构和制造技术
  4. 设备表征和建模
  5. 超高效率和紧凑型转换器
  6. SOA包括短路,尖峰和瞬态容差
  7. 恶劣环境(例如高温)运行和可靠性
  8. 封装,电源模块和IC
  9. 硬交换和软交换应用
  10. 共模和EMI管理
  11. 栅极驱动器和其他辅助电路
  12. 高性能无源元件
  13. 在可再生能源和存储,运输,工业驱动和电网系统中的应用

在过去的五年中,WIPDA的参加者数量迅速增长,参加者来自多个学科,包括材料科学,设备制造,电源电路和系统应用。 今年有200多人参加了研讨会,其中包括来自行业,学术界,政府和研究机构的代表。 与会者来自美国以及其他许多国家。 九个工业和机构合作伙伴为会议提供了支持。

WiPDA 2017保持了往年的安排,包括教程,主题演讲,小组讨论,口头技术会议,海报会议和宴会,标准会议和展览。

从基础知识到前沿研究趋势,共有七个教程涵盖了设备和应用程序主题。 讲者来自学术机构(普渡大学,北卡罗来纳州立大学,弗吉尼亚理工大学和阿拉巴马大学)和工业界(约翰迪尔,德州仪器和英飞凌科技公司)。 的   WIPDA 2017主题演讲包括来自ARPA-E,Navitas Semiconductor,伊利诺伊大学厄本那香槟分校,美国陆军研究实验室,PowerAmerica,福特,英飞凌和德州仪器(TI)的八位杰出演讲者,他们分享了他们在SiC和GaN开发以及从设备制造商,设备设计人员,研究人员和系统集成商的角度出发进行应用。 此外,两个小组会议重点讨论了高压SiC和高频GaN,并包括了来自美国联邦机构,工业界和学术界的领先专家。 该技术方案包括50个口头报告和21个海报,分别代表10个国家。 每个演示文稿或海报将在IEEE Xplore上提供。

今年的海报发布会和宴会在里奥格兰德河两岸塔马亚(Tamaya)场的三叶草亭举行。 此外,IEEE的宽带隙半导体国际技术路线图(ITRW)工作组在研讨会上举行了会议。 最后,一个展览会由WIPDA2017的十个不同公司和机构组成。

与过去几年一样,WiPDA再次提供了学生差旅补助,以鼓励学生参加会议并促进宽带隙电力电子学领域的教育。 在PELS和PSMA的平均支持下,总共60名学生中有16名获得了这些奖项。

WiPDA 2018将由佐治亚理工学院在亚特兰大举行,并暂定于2018年11月5日至7日举行。有关信息和更新,请访问www.wipda.org 。 我们期待您参加明年的精彩活动!

由罗芳博士提供,
WiPDA 2017宣传椅

站点设计: David Fogle Design

联系我们:电话:(973)543-9660传真:(973)543-6207 power@wibbitt.com
PO Box 418,Mendham,NJ 07945-0418
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